硅(gui)碳負極(ji)不僅(jin)可(ke)以有效(xiao)(xiao)提升鋰離子電(dian)(dian)池(chi)負極(ji)的(de)比容量，還(huan)可(ke)以有效(xiao)(xiao)改善電(dian)(dian)極(ji)的(de)導(dao)電(dian)(dian)性能，此外，碳材料也可(ke)以作為緩(huan)沖硅(gui)在(zai)充放電(dian)(dian)過程(cheng)中發生(sheng)的(de)體積(ji)變化，保持電(dian)(dian)極(ji)結構的(de)完整(zheng)性。
目前(qian)，通過格瑞普的(de)半固態電(dian)(dian)池技術，將電(dian)(dian)池的(de)性能(neng)(neng)控制在275Wh/kg~300Wh/kg的(de)高(gao)能(neng)(neng)量密(mi)度性能(neng)(neng)下，可用(yong)于無(wu)人機、垂直(zhi)起降、農(nong)業噴(pen)灑、工業巡邏、森林消(xiao)防、施(shi)工監(jian)控、貨(huo)物(wu)運輸、航(hang)空攝影(ying)、測繪、消(xiao)費類(lei)電(dian)(dian)子產品、及便攜式儲能(neng)(neng)電(dian)(dian)源。
半(ban)固(gu)態電(dian)池可用于空(kong)中載(zai)人飛行(xing)器、農(nong)業噴灑、工業巡(xun)邏(luo)、森(sen)林消(xiao)防、建(jian)筑監測、貨物運輸、航(hang)空(kong)攝影、測繪、消(xiao)費(fei)電(dian)子產品(pin)、便攜式儲能(neng)電(dian)源等領域(yu)。
